Kingston Technology FURY Impact memoria 32 GB 1 x DDR5 5600 MHz

FURY Impact, 32 GB, 1 x 32 GB, DDR5, 5600 MHz, 262-pin SO-DIMM
Marca KINGSTON FLASH Riferimento KF556S40IB-32 EAN13 0740617331653

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SCHEDA TECNICA

Versione Intel Extreme Memory Profile (XMP) 3.0
ECC on-die
Intel® Extreme Memory Profile (XMP)
Voltaggio della memoria 1.1 V
Latenza CAS 40
Classifica di memoria 2
Tipo di memoria tampone Unregistered (unbuffered)
Configurazione moduli 4096M x 64
Placcato piombo Oro
Tempo di ciclo 48 ns
Tempo di ciclo refresh 295 ns
Tempo attivo 28,56 ns
Programmazione con tensione di alimentazione (VPP) 1,8 V
JEDEC standard
RAM installata 32 GB
Componente per Computer portatile
Larghezza 69,6 mm
Altezza 30 mm
Tipo di RAM DDR5
Fattore di forma memoria 262-pin SO-DIMM
Data Integrity Check (verifica integrità dati) No
Velocità memoria 5600 MHz
Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 85 °C
Intervallo di temperatura -55 - 100 °C
Layout di memoria (moduli x dimensione) 1 x 32 GB

DESCRIZIONE PRODOTTO

I vostri notebook o altri dispositivi compatti possono ora trarre vantaggio dalla più recente tecnologia di memoria, con le memorie Kingston FURY Impact DDR5. Kit SODIMM con certificazione Intel® XMP 3.0 e capacità fino a 64 GB. Kingston FURY Impact DDR5 offre tutte le funzionalità avanzate delle memorie DDR5 in un fattore snello e compatto. L’innovativa tecnologia di overclocking Plug N Play1 delle memorie Kingston FURY Impact DDR5 supporta automaticamente velocità in frequenza fino a fino a 5600 MT/s, con latenze ridotte fino a 1,1 V, offrendo ai vostri sistemi notevoli incrementi di prestazioni senza alcuna necessità di dover abilitare un profilo.

SODIMM DDR5 - alte prestazioni


50% più veloci rispetto ai modelli DDR4 nelle applicazioni di gaming, rendering e multitasking.

Funzionalità di overclocking automatico Plug N Play


Kingston FURY Impact DDR5 consente l’overclocking automatico con le velocità più elevate indicate.

Certificazione Intel® XMP 3.0


Massimizzazione delle prestazioni di memoria, con timing avanzati preottimizzati, elevate velocità e voltaggi per l’overclocking.

Consumi energetici ridotti, maggiore efficienza


Garantite un raffreddamento efficace e massima efficienza dei sistemi, grazie alle memorie DDR5 Impact con un assorbimento di soli 1,1 V.

Maggiore stabilità con on-die ECC


Mantenimento dell’integrità dei dati, con velocità di overclocking estreme.

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